Transistor bipolare BD442G

Caratteristiche elettriche del transistor BD442G

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -80 V
  • Tensione massima collettore-base: -80 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -4 A
  • Dissipazione di potenza: 36 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 40 a 140
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126

Piedinatura del BD442G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD442G

È possibile sostituire il BD442G con i transistor 2N4920, 2N4920G, BD442, BD790, BD792, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G o MJE254.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD535J: 50 watts
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