Transistor bipolar MJE252

Características del transistor MJE252

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 25
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del MJE252

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJE252 es el MJE242.

Versión SMD del transistor MJE252

El BDP952 (SOT-223) es la versión SMD del transistor MJE252.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE252

Puede sustituir el MJE252 por el 2N4920, 2N4920G, 2N6036, 2N6036G, 2SB1168, 2SB1168-Q, 2SB1168-R, 2SB1168-S, 2SB1168-T, BD442, BD442G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, BD790, BD792, KSE702, KSE703, MJE250, MJE251, MJE253, MJE253G, MJE254, MJE702, MJE702G, MJE703 o MJE703G.
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