Transistor bipolare 2SB817-D

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB817-D

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -140 V
  • Tensione massima collettore-base: -160 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -12 A
  • Dissipazione di potenza: 100 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
  • Frequenza di transizione: 15 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -40 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3P

Piedinatura del 2SB817-D

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB817-D

È possibile sostituire il 2SB817-D con i transistor 2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2063, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB1162, 2SB1162-Q, 2SB1163, 2SB1163-Q, 2SB1429, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB817, KTB817-O, KTB817B, KTB817B-O, MAG9413, MJW1302A, MJW1302AG o NTE2329.
Se si riscontra un errore, si prega di inviare un'e-mail a mail@el-component.com.