Transistor bipolare 2SB1143-R

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1143-R

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -50 V
  • Tensione massima collettore-base: -60 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -4 A
  • Dissipazione di potenza: 10 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
  • Frequenza di transizione: 150 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126

Piedinatura del 2SB1143-R

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1143-R

È possibile sostituire il 2SB1143-R con i transistor 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB986, 2SB986-R, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252 o MJE254.
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