Transistor bipolare 2SB1142-T
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1142-T
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -50 V
- Tensione massima collettore-base: -60 V
- Tensione massima emettitore-base: -6 V
- Corrente di collettore continua: -2.5 A
- Dissipazione di potenza: 10 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 200 a 400
- Frequenza di transizione: 140 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
Piedinatura del 2SB1142-T
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1142-T
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