Transistor bipolare 2SA1009-H

Caratteristiche elettriche del transistor 2SA1009-H

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -350 V
  • Tensione massima collettore-base: -350 V
  • Tensione massima emettitore-base: -7 V
  • Corrente di collettore continua: -2 A
  • Dissipazione di potenza: 15 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del 2SA1009-H

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SA1009-H

È possibile sostituire il 2SA1009-H con i transistor 2SA1009A, 2SA1009A-H, MJE15035, MJE15035G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.
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