Transistor bipolare 2SA1008M
Caratteristiche elettriche del transistor 2SA1008M
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
- Tensione massima collettore-base: -100 V
- Tensione massima emettitore-base: -7 V
- Corrente di collettore continua: -2 A
- Dissipazione di potenza: 15 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 40 a 80
- Frequenza di transizione: 100 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del 2SA1008M
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SA1008M
È possibile sostituire il 2SA1008M con i transistor
2N6475,
2N6476,
2SA1010,
2SA1010M,
2SB1016,
2SB1016-R,
2SB1090,
2SB1090-M,
2SB1367,
2SB1367-R,
2SB546,
2SB546-R,
2SB546A,
2SB546A-M,
2SB547,
2SB595,
2SB595-R,
2SB630,
2SB630-S,
2SB703A,
2SB703A-S,
2SB995,
2SB995-R,
BD240C,
BD242C,
BD244C,
BD540C,
BD712,
BD744C,
BD802,
BD912,
BD940,
BD940F,
BD942,
BD942F,
BD954,
BD956,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDT96,
BDT96F,
KSA1010,
KSA1010R,
KSB546,
KSB546-R,
KTB1367,
KTB1367R,
MJE15029,
MJE15029G,
MJE15031,
MJE15031G,
MJE5170,
MJE5171,
MJE5172,
MJF15031,
MJF15031G o
NTE292.
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