Transistor bipolare 2N6649

Caratteristiche elettriche del transistor 2N6649

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
  • Tensione massima collettore-base: -60 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -10 A
  • Dissipazione di potenza: 100 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 20000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del 2N6649

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2N6649

È possibile sostituire il 2N6649 con i transistor 2N6650, 2SA746, 2SA747, 2SA907, BD316, BD318, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ2500, MJ2501, MJ4030, MJ4031, MJ4032, TIP605, TIP606, TIP607, TIP645, TIP646 o TIP647.
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