Transistor bipolar BDX66

Características del transistor BDX66

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -16 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDX66

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDX66 es el BDX67.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX66

Puede sustituir el BDX66 por el BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ4030, MJ4031 o MJ4032.
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