Transistor bipolare 2N6491G

Caratteristiche elettriche del transistor 2N6491G

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -80 V
  • Tensione massima collettore-base: -90 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -15 A
  • Dissipazione di potenza: 75 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 20 a 150
  • Frequenza di transizione: 5 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220
  • 2N6491G 2m è la versione senza piombo del transistor 2N6491

Piedinatura del 2N6491G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2N6491G

È possibile sostituire il 2N6491G con i transistor 2N6491, BD744B, BD744C, BD910 o BD912.
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