Transistor bipolare 2N6491

• Tipo di transistor: PNP
• Tensione massima collettore-emettitore: -80 V
• Tensione massima collettore-base: -90 V
• Tensione massima emettitore-base: -5 V
• Corrente di collettore continua: -15 A
• Dissipazione di potenza: 75 W
• Guadagno di corrente CC (h_fe): da 20 a 150
• Frequenza di transizione: 5 MHz
• Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
• Tipo di pacchetto: TO-220

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.È possibile sostituire il 2N6491 con i transistor 2N6491G, BD744B, BD744C, BD910 o BD912.Il transistor 2N6491G è la versione senza piombo del 2N6491.