Transistor bipolaire STD02P-O
Caractéristiques électriques du transistor STD02P-O
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
- Tension collecteur-base maximum: -150 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -12 A
- Dissipation de puissance maximum: 130 W
- Gain de courant (hfe): 5000 à 12000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P-5WO2
Brochage du STD02P-O
Classification de hFE
Equivalent circuit
Complémentaire du transistor STD02P-O
Substituts et équivalents pour le transistor STD02P-O
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