Transistor bipolaire STD03P-O

Caractéristiques électriques du transistor STD03P-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 160 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 12000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P-5WO2

Brochage du STD03P-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor STD03P-O peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 12000. Le gain en courant continu du STD03P est compris entre 5000 à 20000, celui du STD03P-Y entre 8000 à 20000.

Equivalent circuit

STD03P-O equivalent circuit

Complémentaire du transistor STD03P-O

Le transistor NPN complémentaire du STD03P-O est le STD03N-O.
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