Transistor bipolaire STD01P-Y

Caractéristiques électriques du transistor STD01P-Y

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -150 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 8000 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P-5WO2

Brochage du STD01P-Y

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor STD01P-Y peut avoir un gain en courant continu de 8000 à 20000. Le gain en courant continu du STD01P est compris entre 5000 à 20000, celui du STD01P-O entre 5000 à 12000.

Equivalent circuit

STD01P-Y equivalent circuit

Complémentaire du transistor STD01P-Y

Le transistor NPN complémentaire du STD01P-Y est le STD01N-Y.

Substituts et équivalents pour le transistor STD01P-Y

Vous pouvez remplacer le transistor STD01P-Y par STD02P, STD02P-Y, STD03P ou STD03P-Y.
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