Transistor bipolaire PBHV8115Z

Caractéristiques électriques du transistor PBHV8115Z

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 400 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.7 W
  • Gain de courant (hfe): 100
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223

Brochage du PBHV8115Z

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor PBHV8115Z est marqué "V8115Z".

Complémentaire du transistor PBHV8115Z

Le transistor PNP complémentaire du PBHV8115Z est le PBHV9115Z.

Substituts et équivalents pour le transistor PBHV8115Z

Vous pouvez remplacer le transistor PBHV8115Z par PBHV8215Z.
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