Transistor bipolaire PBHV8115Z
Caractéristiques électriques du transistor PBHV8115Z
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
- Tension collecteur-base maximum: 400 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.7 W
- Gain de courant (hfe): 100
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-223
Brochage du PBHV8115Z
Marquage
Complémentaire du transistor PBHV8115Z
Substituts et équivalents pour le transistor PBHV8115Z
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com