Transistor bipolaire PBHV8215Z
Caractéristiques électriques du transistor PBHV8215Z
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
- Tension collecteur-base maximum: 350 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 2 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.73 W
- Gain de courant (hfe): 100
- Fréquence de transition minimum: 33 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-223
Brochage du PBHV8215Z
Marquage
Complémentaire du transistor PBHV8215Z
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