Transistor bipolaire PBHV8215Z

Caractéristiques électriques du transistor PBHV8215Z

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 350 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.73 W
  • Gain de courant (hfe): 100
  • Fréquence de transition minimum: 33 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223

Brochage du PBHV8215Z

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor PBHV8215Z est marqué "V8215Z".

Complémentaire du transistor PBHV8215Z

Le transistor PNP complémentaire du PBHV8215Z est le PBHV9215Z.
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