Transistor bipolaire NTE129P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.85 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 300
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-237

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du NTE129P est le NTE128P.Le 2SA1368 (SOT-89), 2SB805 (SOT-89) et 2SD1006 (SOT-89) est la version SMD du transistor NTE129P.