Transistor bipolaire NTE128P

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.85 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 300
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-237

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du NTE128P est le NTE129P.Le 2SC3438 (SOT-89) est la version SMD du transistor NTE128P.