Transistor bipolaire MMST5551

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 180 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.2 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 250
• Fréquence de transition minimum: 300 MHz
• Figure de bruit maximum: 8 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-323
• Electrically Similar to the Popular 2N5551 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MMST5551 est marqué "K4N".Le transistor PNP complémentaire du MMST5551 est le MMST5401.Le 2N5551 est la version TO-92 du MMST5551.