Transistor bipolaire MMST5401

Caractéristiques électriques du transistor MMST5401

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 300 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323
  • Electrically Similar to the Popular 2N5401 transistor

Brochage du MMST5401

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MMST5401 est marqué "K4M".

Complémentaire du transistor MMST5401

Le transistor NPN complémentaire du MMST5401 est le MMST5551.

Transistor MMST5401 en boîtier TO-92

Le 2N5401 est la version TO-92 du MMST5401.
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