Transistor bipolaire MMST5401
Caractéristiques électriques du transistor MMST5401
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
- Tension collecteur-base maximum: -160 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.2 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 240
- Fréquence de transition minimum: 300 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-323
- Electrically Similar to the Popular 2N5401 transistor
Brochage du MMST5401
Marquage
Complémentaire du transistor MMST5401
Transistor MMST5401 en boîtier TO-92
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com