Transistor bipolaire MMBT3904LT1G
Caractéristiques électriques du transistor MMBT3904LT1G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.2 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 300
- Fréquence de transition minimum: 300 MHz
- Figure de bruit maximum: 5 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- Le MMBT3904LT1G est la version sans plomb du transistor MMBT3904LT1
Brochage du MMBT3904LT1G
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor MMBT3904LT1G
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