Transistor bipolaire MJE4353G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -16 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 35
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Le MJE4353G est la version sans plomb du transistor MJE4353

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE4353G est le MJE4343G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE4353G par MJE4353.