Transistor bipolaire MJE4343G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 35
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Le MJE4343G est la version sans plomb du transistor MJE4343

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE4343G est le MJE4353G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE4343G par MJE4343.