Transistor bipolaire MJE4341

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 35
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE4341 est le MJE4351.Vous pouvez remplacer le transistor MJE4341 par MJE4342, MJE4343 ou MJE4343G.