Transistor bipolaire MJE13007G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
• Tension collecteur-base maximum: 700 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 8 à 60
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE13007G est la version sans plomb du transistor MJE13007

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE13007G par FJP13007, KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A ou STD13007F.