Transistor bipolaire MJE13007

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
• Tension collecteur-base maximum: 700 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 8 à 60
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE13007 par FJP13007, KSE13007, KSE13007F, MJE13007A, MJE13007G ou STD13007F.Le transistor MJE13007G est la version sans plomb du MJE13007.