Transistor bipolaire MJD47T4G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
• Tension collecteur-base maximum: 350 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 150
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP47 transistor
• Le MJD47T4G est la version sans plomb du transistor MJD47T4

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD47T4G est marqué "J47G".Vous pouvez remplacer le transistor MJD47T4G par MJD47, MJD47G, MJD47T4, MJD50, MJD50G, MJD50T4 ou MJD50T4G.