Transistor bipolaire MJD50G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
• Tension collecteur-base maximum: 500 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 150
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP50 transistor
• Le MJD50G est la version sans plomb du transistor MJD50

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD50G est marqué "J50G".Vous pouvez remplacer le transistor MJD50G par MJD50, MJD50T4 ou MJD50T4G.