Transistor bipolaire MJD350-1G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
• Tension collecteur-base maximum: -300 V
• Tension émetteur-base maximum: -3 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 240
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-251
• Electrically Similar to the Popular MJE350 transistor
• Le MJD350-1G est la version sans plomb du transistor MJD350-1

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD350-1G est marqué "J350G".Vous pouvez remplacer le transistor MJD350-1G par MJD350-1.