Transistor bipolaire MJ8501

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
• Tension collecteur-base maximum: 1400 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 2.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 8
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJ8501 par MJ8503 ou MJ8505.