Transistor bipolaire MJ802

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 4 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ802 est le MJ4502.Vous pouvez remplacer le transistor MJ802 par 2N5671, 2N5672, MJ802G ou NTE181.Le transistor MJ802G est la version sans plomb du MJ802.