Transistor bipolaire KTC2020D

Caractéristiques électriques du transistor KTC2020D

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du KTC2020D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTC2020D peut avoir un gain en courant continu de 100 à 300. Le gain en courant continu du KTC2020D-GR est compris entre 150 à 300, celui du KTC2020D-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KTC2020D

Le transistor PNP complémentaire du KTC2020D est le KTA1040D.

Version SMD du transistor KTC2020D

Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTC2020D.

Substituts et équivalents pour le transistor KTC2020D

Vous pouvez remplacer le transistor KTC2020D par 2SD1221.
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