Transistor bipolaire KTC1008-GR
Caractéristiques électriques du transistor KTC1008-GR
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 160 à 320
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SC1008G transistor
Brochage du KTC1008-GR
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Version SMD du transistor KTC1008-GR
Transistor KTC1008-GR en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KTC1008-GR
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