Transistor bipolaire 2SD1616A
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1616A
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
- Gain de courant (hfe): 135 à 400
- Fréquence de transition minimum: 160 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2SD1616A
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD1616A
Version SMD du transistor 2SD1616A
Transistor 2SD1616A en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1616A
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