Transistor bipolaire KSD882-R

Caractéristiques électriques du transistor KSD882-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882R transistor

Brochage du KSD882-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD882-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du KSD882 est compris entre 60 à 400, celui du KSD882-G entre 200 à 400, celui du KSD882-O entre 100 à 200, celui du KSD882-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSD882-R

Le transistor PNP complémentaire du KSD882-R est le KSB772-R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD882-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSD882-R par 2N4921, 2N4921G, 2N4922, 2N4922G, 2SD793, 2SD793-R, 2SD794, 2SD794-R, 2SD794A, 2SD794A-R, 2SD882, 2SD882R, BD131, BD175, BD177, BD185, BD187, BD189, BD435, BD435G, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD785, BD787, BD787G, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794-R, KSD794A, KSD794A-R, KSE180, KSE181, KSH882, KSH882-R, MJE180, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE220, MJE221, MJE222, MJE223, MJE224, MJE225 ou MJE520.
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