Transistor bipolaire MJE180

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 250
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE180 est le MJE170.Vous pouvez remplacer le transistor MJE180 par BD131, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, BDX35, BDX36, BDX37, KSE180, KSE181, KSE182, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE222, MJE225 ou MJE242.