Transistor bipolaire KSD261
Caractéristiques électriques du transistor KSD261
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 400
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SD261 transistor
Brochage du KSD261
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSD261
Transistor KSD261 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSD261
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