Transistor bipolaire KSD261

Caractéristiques électriques du transistor KSD261

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD261 transistor

Brochage du KSD261

Le KSD261 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor KSD261C (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du KSD261.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD261 peut avoir un gain en courant continu de 120 à 400. Le gain en courant continu du KSD261G est compris entre 200 à 400, celui du KSD261Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD261

Le transistor PNP complémentaire du KSD261 est le KSA643.

Transistor KSD261 en boîtier TO-92

Le 2SD261 est la version TO-92 du KSD261.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD261

Vous pouvez remplacer le transistor KSD261 par 2N5172, 2SD261, 2SD471A, KSD471A, MPS3706, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG ou MPSW01G.
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