Transistor bipolaire KSC5026M-R

Caractéristiques électriques du transistor KSC5026M-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 30
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular KSC5026-R transistor

Brochage du KSC5026M-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC5026M-R peut avoir un gain en courant continu de 15 à 30. Le gain en courant continu du KSC5026M est compris entre 10 à 40, celui du KSC5026M-N entre 10 à 20, celui du KSC5026M-O entre 20 à 40.
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