Transistor bipolaire KSC5020-R

Caractéristiques électriques du transistor KSC5020-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 500 V
  • Tension collecteur-base maximum: 800 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 30
  • Fréquence de transition minimum: 18 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du KSC5020-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC5020-R peut avoir un gain en courant continu de 15 à 30. Le gain en courant continu du KSC5020 est compris entre 15 à 50, celui du KSC5020-O entre 20 à 40, celui du KSC5020-Y entre 30 à 50.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC5020-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSC5020-R par 2SC3150, 2SC3150-L, 2SC3446, 2SC3446-L, 2SC3447, 2SC3447-L, 2SC3457, 2SC3457-M, 2SC3749, 2SC3749-L, 2SC3750, 2SC3750-L, 2SC3752, 2SC3752-L, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC3830, 2SC3866, 2SC5353, FJPF5027, FJPF5027-R, KSC5021, KSC5021-R, KSC5021F, KSC5021F-R, KSC5027, KSC5027-R, KSC5027F, KSC5027F-R, MJE8502 ou MJE8503.
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