Transistor bipolaire FJPF5027-R

Caractéristiques électriques du transistor FJPF5027-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 30
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular KSC5027-R transistor

Brochage du FJPF5027-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor FJPF5027-R peut avoir un gain en courant continu de 15 à 30. Le gain en courant continu du FJPF5027 est compris entre 10 à 40, celui du FJPF5027-N entre 10 à 20, celui du FJPF5027-O entre 20 à 40.

Substituts et équivalents pour le transistor FJPF5027-R

Vous pouvez remplacer le transistor FJPF5027-R par 2SC3150, 2SC3150-L, 2SC3457, 2SC3457-M, 2SC3752, 2SC3752-L, 2SC3866, 2SC5353, KSC5027, KSC5027-R, KSC5027F, KSC5027F-R ou MJE8503.
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