Transistor bipolaire KSC1008CY

Caractéristiques électriques du transistor KSC1008CY

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KSC1008CY

Le KSC1008CY est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le KSC1008Y.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC1008CY peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du KSC1008C est compris entre 40 à 400, celui du KSC1008CG entre 200 à 400, celui du KSC1008CO entre 70 à 140, celui du KSC1008CR entre 40 à 80.

Complémentaire du transistor KSC1008CY

Le transistor PNP complémentaire du KSC1008CY est le KSA708CY.

Version SMD du transistor KSC1008CY

Le BCV71 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSC1008CY.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC1008CY

Vous pouvez remplacer le transistor KSC1008CY par 2SC2235, 2SC2235-Y, 2SC3243, 2SC3328, 2SC3328-Y, 2SD438, 2SD667, KSC2316, KSC2316Y, KSC2331, KSC2331Y, KTC1006, KTC1008, KTC1027, KTC1027-O ou KTC1027-Y.
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