Caractéristiques électriques du transistor KSC1008CY
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 8 V
Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
Gain de courant (hfe): 120 à 240
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du KSC1008CY
Le KSC1008CY est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le KSC1008Y. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSC1008CY peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du KSC1008C est compris entre 40 à 400, celui du KSC1008CG entre 200 à 400, celui du KSC1008CO entre 70 à 140, celui du KSC1008CR entre 40 à 80.
Complémentaire du transistor KSC1008CY
Le transistor PNP complémentaire du KSC1008CY est le KSA708CY.
Version SMD du transistor KSC1008CY
Le BCV71 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSC1008CY.
Substituts et équivalents pour le transistor KSC1008CY