Transistor bipolaire KSC1008CG

Caractéristiques électriques du transistor KSC1008CG

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KSC1008CG

Le KSC1008CG est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le KSC1008G.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC1008CG peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSC1008C est compris entre 40 à 400, celui du KSC1008CO entre 70 à 140, celui du KSC1008CR entre 40 à 80, celui du KSC1008CY entre 120 à 240.

Version SMD du transistor KSC1008CG

Le BCV72 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSC1008CG.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC1008CG

Vous pouvez remplacer le transistor KSC1008CG par 2SC6043, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD438, KSD1616A, KSD1616A-G ou KTC1006.
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