Transistor bipolaire BDW83B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDW83B est le BDW84B.Vous pouvez remplacer le transistor BDW83B par BD245B, BD245C, BD249B, BD249C, BDW83C, BDW83D ou TIP35CA.