Transistor bipolaire BDW83C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDW83C est le BDW84C.Vous pouvez remplacer le transistor BDW83C par BD245C, BD249C, BDW83D ou TIP35CA.