Transistor bipolaire BDW52B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 150
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDW52B est le BDW51B.Vous pouvez remplacer le transistor BDW52B par 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA1041, 2SA1043, 2SA907, 2SA908, 2SB722, BD316, BD318, BDW52C, MJ11017, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 ou MJ15004G.