Transistor bipolaire BDW24B

Caractéristiques électriques du transistor BDW24B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDW24B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDW24B

Le transistor NPN complémentaire du BDW24B est le BDW23B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDW24B

Vous pouvez remplacer le transistor BDW24B par 2SA771, BD244B, BD244C, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24C, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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