Transistor bipolaire BDW64D

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -6 A
• Dissipation de puissance maximum: 60 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDW64D est le BDW63D.Vous pouvez remplacer le transistor BDW64D par BD652, BDT88, BDT88F, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.