Transistor bipolaire BD530

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -4 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 8 W
• Gain de courant (h_fe): 30
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-202

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD530 est le BD529.