Transistor bipolaire BCW69LT1G
Caractéristiques électriques du transistor BCW69LT1G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
- Tension collecteur-base maximum: -50 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 260
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Figure de bruit maximum: 10 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- Le BCW69LT1G est la version sans plomb du transistor BCW69LT1
Brochage du BCW69LT1G
Complémentaire du transistor BCW69LT1G
Substituts et équivalents pour le transistor BCW69LT1G
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