Transistor bipolaire BCW69LT1G

Caractéristiques électriques du transistor BCW69LT1G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 260
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Figure de bruit maximum: 10 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Le BCW69LT1G est la version sans plomb du transistor BCW69LT1

Brochage du BCW69LT1G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BCW69LT1G

Le transistor NPN complémentaire du BCW69LT1G est le BCW71LT1G.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW69LT1G

Vous pouvez remplacer le transistor BCW69LT1G par 2SA1037, 2SA1037-Q, 2SA1162, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA1832, 2SA812, 2SB710A, BC807, BC856, BC857, BC860, BCW68, BCW69, BCW69LT1, BCW89, BCX17, FMMT2907A, FMMT2907AR, FMMT591, FMMT591Q, FMMTA55, FMMTA56, KN2907AS, KSA812, KST2907A, KST55, KST56, KTA1504, KTA1504S, KTN2907AS, MMBT200, MMBT2907A, MMBT4354, MMBT4355, MMBTA55, MMBTA56, PMBT2907A, PMBTA56, PMST2907A, SMBTA55, SMBTA56 ou TMBT3906.
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