Transistor bipolaire BCW65A

Caractéristiques électriques du transistor BCW65A

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 32 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 170 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW65A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BCW65A peut avoir un gain en courant continu de 100 à 250. Le gain en courant continu du BCW65 est compris entre 100 à 630, celui du BCW65B entre 160 à 400, celui du BCW65C entre 250 à 630.

Complémentaire du transistor BCW65A

Le transistor PNP complémentaire du BCW65A est le BCW67A.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW65A

Vous pouvez remplacer le transistor BCW65A par BCW66, BCW66F, FMMT491, FMMT491Q, FMMT619 ou MMBT2222A.
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